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ASML, 2030년까지 칩 생산량을 50% 늘릴 수 있는 EUV 광원 기술 공개

 (reuters.com)
2P by GN⁺ 6시간전 | ★ favorite | 댓글 1개
  • ASML 연구진이 EUV 리소그래피 장비의 광원 출력을 기존 600W에서 1,000W로 향상시키는 기술을 개발, 2030년까지 시간당 칩 생산량을 최대 50% 늘릴 수 있는 돌파구 마련
  • 미국과 중국에서 ASML의 EUV 기술에 대한 경쟁자가 등장하는 가운데, 이번 기술 발전은 장비의 가장 난도 높은 부분인 광원 기술에서의 우위를 확고히 하려는 시도
  • 핵심 기술은 주석 방울 수를 초당 약 10만 개로 두 배 늘리고, 기존 단일 레이저 버스트 대신 두 번의 소형 레이저 버스트로 플라즈마를 형성하는 방식
  • 시간당 웨이퍼 처리량이 현재 220장에서 2030년까지 약 330장으로 증가 전망이며, 이는 칩당 생산 비용 절감으로 직결
  • 1,000W 달성에 사용된 기술을 기반으로 1,500W까지의 경로가 명확하며, 2,000W 도달에도 근본적 장벽이 없다는 평가

EUV 광원 출력 1,000W 달성

  • ASML의 EUV 광원 수석 기술자 Michael Purvis는 이번 성과가 단기 시연이 아니라 고객 환경과 동일한 조건에서 1,000W를 생산할 수 있는 시스템이라고 강조
  • EUV 광원의 출력이 높아지면 실리콘 웨이퍼의 노출 시간이 단축되어, 동일 시간에 더 많은 칩 생산 가능
  • ASML NXE 라인 담당 부사장 Teun van Gogh에 따르면, 고객사들이 훨씬 낮은 비용으로 EUV를 계속 사용할 수 있도록 하는 것이 목표

기술적 원리

  • ASML의 EUV 장비는 13.5나노미터 파장의 빛을 생성하기 위해 용융 주석 방울을 챔버 내에서 대형 CO₂ 레이저로 가열해 플라즈마 상태로 전환
  • 이 플라즈마는 태양보다 뜨거운 초고온 상태이며, 여기서 방출된 EUV 광을 독일 Carl Zeiss AG가 공급하는 정밀 광학 장비로 수집해 칩 인쇄에 활용
  • 이번 발전의 핵심은 두 가지:
    • 주석 방울 수를 초당 약 10만 개로 두 배 증가
    • 기존 단일 성형 버스트 대신 두 번의 소형 레이저 버스트로 플라즈마 형성
  • Colorado State University의 레이저 기술 전문가 Jorge J. Rocca 교수는 "많은 기술을 동시에 마스터해야 하는 매우 도전적인 과제"이며, 1kW 달성은 "상당히 놀라운 성과"라고 평가

생산량 및 비용 영향

  • 2030년까지 각 장비의 시간당 웨이퍼 처리량이 현재 220장에서 약 330장으로 증가 예상
  • 웨이퍼 한 장에는 칩 크기에 따라 수십 개에서 수천 개의 칩이 배치 가능
  • 광원 출력 증가는 노출 시간 단축 → 시간당 처리량 증가 → 칩당 비용 절감으로 이어지는 구조

경쟁 환경과 전략적 의미

  • ASML은 현재 상용 EUV 리소그래피 장비의 세계 유일한 제조사이며, TSMC, Intel 등 주요 반도체 기업이 첨단 칩 생산에 활용
  • 미국 양당 정부가 네덜란드와 협력해 중국으로의 EUV 장비 수출을 차단해 왔으며, 이에 중국은 자체 장비 개발을 위한 국가적 노력 착수
  • 미국 내에서는 Substrate과 xLight 두 스타트업이 ASML 기술의 미국 대안 개발을 위해 수억 달러를 조달, xLight는 트럼프 행정부로부터 정부 자금도 확보
  • ASML은 이번 기술 공개를 통해 잠재적 경쟁자들과의 기술 격차를 더욱 벌리려는 전략

향후 발전 가능성

  • 1,000W 달성에 사용된 기술이 향후 지속적 발전의 기반이 될 것으로 판단
  • 1,500W까지의 경로가 비교적 명확하며, 2,000W 도달에도 근본적인 이유로 불가능한 점은 없다는 평가
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GN⁺ 6시간전  [-]
Hacker News 의견들

  • 초보자 입장에서 EUV 기술을 아주 멋지게 설명한 영상임
    YouTube 링크

    • Veritasium 영상보다 먼저 나온 다른 영상도 추천함
    • 금속의 미세한 방울을 폭발시키는 장면이 정말 만화같이 미친 기술처럼 느껴졌음
      내가 투자 중인 두 회사도 이 장비 없이는 완전히 무너질 것 같음
    • Asianometry의 영상도 좋음. ASML의 광원 기술에 초점을 맞춘 내용임
    • 영상을 보고도 왜 EUV 광원을 만들기 위해 이렇게 복잡한 방식이 필요한지 이해가 안 됨
      가시광선이나 X선은 쉽게 만들 수 있는데, 왜 이 파장대만 그렇게 어려운지 궁금함
    • 추적 파라미터가 없는 깨끗한 링크도 공유함

  • 연구진이 EUV 광원의 출력을 600와트에서 1,000와트로 향상시켰다고 함
    1,500와트, 나아가 2,000와트까지도 가능하다는 전망이 있음

  • 왜 이게 중요한지 설명함
    현재 밝은 EUV(100~200와트)를 만드는 유일한 방법은 미세 금속 방울을 분사하고, 각 방울을 레이저로 쏘는 방식임
    정말 기이한 방식으로 빛을 만드는 셈임

    • 이제 각 방울을 두 번이 아니라 세 번 레이저로 타격하고, 초당 10만 개의 방울을 처리할 예정이라 함
      상상하기조차 어려운 정밀도임

  • 출력이 67%나 증가한 점이 특히 인상적임
    600와트에서 1,000와트로 올렸고, 1,500~2,000와트까지의 명확한 로드맵이 있다고 함

  • 기사에서 “미국과 중국의 경쟁” 구도를 만든 게 이상하다고 느낌
    Cymer는 원래 샌디에이고에서 설립된 미국 회사임

    • 실제로 EUV 광원 기술은 캘리포니아의 Cymer가 설계·개발·제조한 것임
      ASML이 2013년에 인수했지만, 수출 통제 협정이 없었다면 인수 자체가 불가능했을 것임
      만약 통제가 풀리면 미국이 TikTok처럼 Cymer를 다시 미국 소유로 돌리라고 요구할 수도 있음
      결국 이건 미국 기술인데, 왜 경쟁 구도로 묘사하는지 이해가 안 됨
    • 일본도 경쟁 가능한 기술을 개발 중이라고 들음

  • 요즘 트랜지스터 같은 개별 소자 크기가 얼마나 작은지 궁금했음
    몇 원자 단위까지 가면 더 이상 줄일 수 없을 것 같음

    • 실제 게이트 폭은 30~50nm 정도임. ‘3nm’이라는 명칭은 마케팅 용어에 불과함
    • 이번 연구는 개별 소자 축소가 아니라 기계당 출력 향상에 초점이 맞춰져 있음
    • 일부 게이트는 10~14nm로, 약 50개의 실리콘 원자 크기임
    • 2nm 공정 위키 문서 참고용 링크도 공유함

  • 이런 칩들이 어떤 하드 드라이브나 메모리 슬롯과 호환될지 궁금함

  • 결과적으로 AI 산업은 칩을 50% 더 확보하겠지만, 일반 사용자는 여전히 GPU 품귀를 겪을 것 같음
    EUV 기술이 이렇게 발전했는데도, 실제 혜택이 대중에게 오기까지는 오래 걸릴 듯함

    • AMD와 Intel의 차세대 CPU(Zen 6, Nova Lake)가 모두 내년으로 출시 연기됨
      TSMC의 생산 능력이 AI 수요에 집중된 탓도 있고, DRAM과 SSD 부족으로 신제품 출시가 어려운 상황임

  • 진공 시스템은 온도 변화에 매우 민감한데, 그 안에서 이렇게 큰 출력 증가를 달성한 건 놀라운 성과임

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